"Intel" і "Micron Technology" оголосили про створення першої у світі 20-нанометровій NAND-пам'яті з багаторівневою структурою комірок ємністю 128 Гбіт. Про це 7 грудня повідомили "SQ" у прес-службі "Intel". Перший монолітний модуль на 128 Гбіт дозволяє створити чіп розміром з ніготь ємністю 1 террабіт, використовуючи всього 8 кристалів. На основі нової пам'яті будуть створювати більш ефективні і дешеві твердотільні накопичувачі для смартфонів, планшетів і промислових систем зберігання даних. До поставок тестових зразків модулів ємністю 128 Гбіт планується приступити в січні, а в першій половині 2012 р. - до серійного виробництва.

Довідка "SQ". Корпорація "Intel" - провідний світовий виробник напівпровідникових компонентів. "Micron Technology, Inc." випускає і продає NAND-, NOR-і DRAM-пам'яті, інші напівпровідникові компоненти та модулі пам'яті для використання в комп'ютерах, споживчої електроніки, мережевому і вбудованому обладнанні і мобільних продуктах.